RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RQ3E120ATTB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.77 |
10+ | $0.676 |
100+ | $0.518 |
500+ | $0.4095 |
1000+ | $0.3276 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
Grundproduktnummer | RQ3E120 |
RQ3E120ATTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E120ATTB PDF - EN.pdf |
RQ3E130BNFU7TB ROHM
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RQ3E120ATTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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